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1×N PLC Wafer Quarz-basierter PLC Lichtwellenleiter Planarer Lichtwellenleiter-Schaltkreis
  • 1×N  PLC Wafer Quarz-basierter PLC Lichtwellenleiter Planarer Lichtwellenleiter-Schaltkreis

1×N PLC Wafer Quarz-basierter PLC Lichtwellenleiter Planarer Lichtwellenleiter-Schaltkreis

Herkunftsort China
Markenname Honghui
Modellnummer 1xN
Document wafer spec.pdf
Einzelheiten zum Produkt
Oblaten-Größe:
4 Zoll / 6 Zoll
Material:
SiO₂
Kernbreite:
4 - 8 µm
Wellenleiterabstand:
25 - 50 µm
Einfügedämpfung:
< 0,1 dB
Polarisationsabhängiger Verlust:
< 0,1 dB
Zahlungs- und Versandbedingungen
Min Bestellmenge
100
Lieferzeit
20 Tage
Zahlungsbedingungen
T/T
Produktbeschreibung

1×N PLC Wafer, Quarz-basierter planarer Lichtwellenleiter für die Herstellung von Fasersplittern

I. Kernvorteile der optischen Leistung

  • Überlegene Splitting-Gleichmäßigkeit: Kanal-zu-Kanal-Gleichförmigkeitsfehler innerhalb von ±0,1-1,8 dB (je nach Spezifikation) kontrolliert, was eine konsistente Aufteilung nach dem Zerteilen gewährleistet und ungleichmäßige Signalstärke an den Anschlüssen verhindert.
  • Breitbandkompatibilität: Unterstützt das volle Arbeitsband von 1260-1650 nm, perfekt kompatibel mit Multi-Wellenlängen-Übertragungssystemen einschließlich GPON, EPON und CATV, mit außergewöhnlicher Vielseitigkeit.

II. Material- und Herstellungsprozessvorteile

  • Hochreines Quarzglassubstrat: Hergestellt aus verlustarmem, hochstabilem Quarzglas (SiO₂), das als Kernsicherung für Chips in Telekommunikationsqualität dient.
  • Fortschrittlicher P-CVD-Abscheidungsprozess: Wellenleiterschicht hergestellt durch Plasma-Chemical-Vapor-Deposition mit Filmgleichförmigkeitsfehler ≤±2%, was eine stabile optische Leistung gewährleistet.

III. Größen- und Spezifikationsvorteile

  • Standard-Wafer-Durchmesser-Optionen: Erhältlich in vollen Spezifikationen, einschließlich 2-Zoll, 4-Zoll und 6-Zoll (z. B. 6-Zoll-Durchmesser 150±0,5 mm), um unterschiedlichen Produktionskapazitätsanforderungen gerecht zu werden.
  • Präzise Dickenkontrolle: Dickentoleranz ±50μm (z. B. 1050±100μm), was eine gleichmäßige Chipdicke nach dem Zerteilen für die automatisierte Verpackung gewährleistet.

IV. Anwendungs- und Kompatibilitätsvorteile

  • FTTH-Netzwerkkernkompatibilität: Eigenschaften mit geringem Verlust, die sich perfekt für FTTH-Splitter-Chips eignen und eine großflächige Benutzerabdeckung ermöglichen.
  • Volle PON-Netzwerkkompatibilität: Kompatibel mit allen GPON/EPON-Standards, dient als Kernkomponente für passive optische Netzwerk (PON)-Module.

V. Vorteile der Qualitätssicherung und Produktion

  • Qualitätsstandards in Telekommunikationsqualität: Vollständig konform mit den Telcordia GR-1221/1209-Standards, bestanden 1000-Stunden-Alterungstests bei hoher Temperatur/hoher Luftfeuchtigkeit.
  • 100% Inspektionsgarantie: Jeder Wafer wird 10 Parametertests unterzogen, einschließlich Einfügedämpfung und Gleichmäßigkeit, mit einer Fehlerrate ≤0,1%.
  • Umfassende internationale Zertifizierungen: CE-, RoHS- und ISO9001-zertifiziert, erfüllt die Anforderungen des globalen Marktes.

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