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1×N PLC Wafer Circuito de Onda de Luz Planar PLC Baseado em Quartzo
  • 1×N PLC Wafer Circuito de Onda de Luz Planar PLC Baseado em Quartzo

1×N PLC Wafer Circuito de Onda de Luz Planar PLC Baseado em Quartzo

Lugar de origem China
Marca Honghui
Número do modelo 1xN
Document wafer spec.pdf
Detalhes do Produto
Tamanho da bolacha:
4 polegadas/6 polegadas
Material:
SiO₂
Largura do núcleo:
4 - 8 μm
Espaçamento do guia de ondas:
25 - 50 μm
Perda de inserção:
< 0,1dB
Perda dependente de polarização:
< 0,1dB
Termos de pagamento e envio
Quantidade de ordem mínima
100
Tempo de entrega
20 dias
Termos de pagamento
T/T
Descrição do produto

Wafer PLC 1×N, Circuito de Onda de Luz Planar à Base de Quartzo para Fabricação de Divisores de Fibra

I. Vantagens de Desempenho Óptico Essenciais

  • Uniformidade de Divisão Superior: Erro de uniformidade canal a canal controlado dentro de ±0,1-1,8dB (dependendo das especificações), garantindo uma divisão consistente após o corte e evitando força de sinal desigual nos terminais.
  • Compatibilidade de Amplo Espectro: Suporta banda de trabalho completa de 1260-1650nm, perfeitamente compatível com sistemas de transmissão de múltiplas ondas, incluindo GPON, EPON e CATV, com versatilidade excepcional.

II. Vantagens de Material e Processo de Fabricação

  • Substrato de Sílica Fundida de Alta Pureza: Feito de sílica fundida (SiO₂) de baixa perda e alta estabilidade, servindo como garantia central para chips de nível de telecomunicações.
  • Processo Avançado de Deposição P-CVD: Camada de guia de onda preparada por deposição química de vapor por plasma com erro de uniformidade do filme ≤±2%, garantindo desempenho óptico estável.

III. Vantagens de Tamanho e Especificação

  • Opções de Diâmetro de Wafer Padrão: Disponível em especificações completas, incluindo 2 polegadas, 4 polegadas e 6 polegadas (por exemplo, 6 polegadas de diâmetro 150±0,5 mm) para atender às diferentes necessidades de capacidade de produção.
  • Controle Preciso da Espessura: Tolerância de espessura ±50μm (por exemplo, 1050±100μm), garantindo espessura consistente do chip após o corte para embalagem automatizada.

IV. Vantagens de Aplicação e Compatibilidade

  • Compatibilidade Central da Rede FTTH: Características de baixa perda perfeitamente adequadas para chips divisores FTTH, permitindo cobertura de usuários em larga escala.
  • Compatibilidade Total da Rede PON: compatível com todos os padrões GPON/EPON, servindo como componente central para módulos de rede óptica passiva (PON).

V. Vantagens de Qualidade e Garantia de Produção

  • Padrões de Qualidade de Nível de Telecomunicações: Totalmente em conformidade com os padrões Telcordia GR-1221/1209, passando nos testes de envelhecimento de alta temperatura/alta umidade de 1000 horas.
  • Garantia de Inspeção de 100%: Cada wafer passa por 10 testes de parâmetros, incluindo perda de inserção e uniformidade, com taxa de defeito ≤0,1%.
  • Certificações Internacionais Abrangentes: Certificado CE, RoHS e ISO9001, atendendo aos requisitos do mercado global.

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